台積電昨日舉行高雄廠二奈米擴產典禮暨二期建廠上梁典禮,晶圓二十二廠廠長吳斯安將肩負帶領團隊迎接二奈米最先進製程量產的重要使命。吳斯安在公司內部不僅以專業能力著稱,更因其形象獲得同仁高度評價。
台積電二奈米製程首次採用奈米片技術的環繞閘極電晶體(GAAFET)架構,有別於先前的FinFET技術結構。相較三奈米,在相同功耗下,速度可增加10至15%,在相同速度下,功耗可降低25至30%。台積電表示,全球科技創新領導廠商都正與公司緊密合作中。
執行副總經理暨共同營運長秦永沛指出,台積電獨步全球的二奈米製程進展順利,高雄共有五期晶圓廠,每一期規模都相當龐大,以回應市場強勁需求並支持客戶。業界分析,台積電罕見在南北同步擴產二奈米產能,顯示客戶需求殷切,未來量產的生產品質與良率將至關重要。
高雄新廠從土壤汙染整治到建廠過程已克服多項挑戰,接下來二奈米製程量產還將面臨穩定電力供應、生產線設備製程整合與廠務系統等新挑戰,廠長需率領團隊一一克服。
半導體業界人士表示,吳斯安進入台積電近三十年,從基層工程師做起,曾在南科十四廠、中科十五廠歷練,累積多代新製程量產經驗,還曾獲選全國模範勞工。他曾擔任晶圓十五廠廠長,成功帶領團隊量產七奈米製程,這也是台積電打敗英特爾的關鍵製程,並成為公司最賺錢的製程之一。
台積電於2018年量產七奈米製程,領先英特爾、三星,因良率與品質優異廣受客戶歡迎。隨後又開發出七奈米加強版技術,成為業界首個商用採極紫外光(EUV)微影技術的半導體廠,並進一步開發六奈米製程技術,為客戶提供多元選擇,因此贏得國際知名客戶訂單。台積電七奈米製程技術曾獲IEEE(電機電子工程師學會)頒發創新獎。